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Datasheet下载- 型号： PUMD48,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PUMD48,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD48,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD48,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD48,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD48,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD48,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMD48,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极性晶体管（BJT）单管，属于 PUMD 系列——该系列为小型表面贴装（SOT-363/SC-88）封装的通用型双晶体管（实际为双通道结构，但 PUMD48 为单通道配置版本），内部集成一个 NPN 晶体管及一个匹配的偏置电阻网络（即内置基极-发射极和基极-集电极电阻，属“数字晶体管”或“带阻晶体管”，Digital Transistor）。 其典型应用场景包括： • 低功耗开关控制：如 LED 驱动、小型继电器/蜂鸣器驱动、I/O端口扩展电路中的电平转换与负载开关； • 逻辑接口与信号调理：在微控制器（MCU）GPIO 输出能力有限时，作为缓冲/反相/电平位移器件，简化外围电路设计； • 电源管理辅助功能：用于负载检测、使能控制（EN）、电源通断切换等中低电流（IC ≤ 100 mA）场景； • 消费电子与便携设备：因采用超小 SOT-363 封装、无需外置偏置电阻，节省 PCB 面积，适用于智能手机、可穿戴设备、TWS耳机等对空间和BOM精简要求高的产品。 注意：PUMD48,115 的典型直流电流增益（hFE）约160–400，VCEO=50 V，IC(max)=100 mA，适合中低速（fT ≈ 100 MHz）、中小功率开关应用，不适用于高频放大或大电流驱动。设计时需注意其内置电阻值（R1=10 kΩ, R2=10 kΩ），确保与驱动源兼容。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD48,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMD48,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V / 100 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-11281-1 |
| 典型电阻器比率 | 1, 0.05 |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms, 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k，2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMD48 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
