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EMD3T2R产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供EMD3T2R由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMD3T2R价格参考¥0.70-¥1.37。ROHM SemiconductorEMD3T2R封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6。您可以下载EMD3T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EMD3T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号 EMD3T2R 属于预偏置双极性晶体管阵列,常用于需要简化电路设计、提高稳定性和减小PCB面积的应用场景。该器件集成了多个BJT晶体管及内置偏置电阻,减少了外围元件数量,提高了系统可靠性。 主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关或电源切换控制,实现高效能和小型化设计。 2. 电机驱动与继电器控制:适用于小功率电机、电磁阀、继电器等感性负载的开关控制。 3. 工业自动化设备:如PLC输入输出接口、传感器信号放大与切换控制。 4. 消费类电子产品:例如打印机、扫描仪、智能家电中的马达或LED驱动电路。 5. 汽车电子:用于车载电机控制、照明系统或车载充电模块中的信号处理与功率切换。 由于其集成预偏置电阻,EMD3T2R可直接由MCU GPIO驱动,无需额外配置偏置电路,非常适合空间受限且要求高可靠性的应用环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP EMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP/NPN 50V 50MA |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor EMD3T2R- |
数据手册 | |
产品型号 | EMD3T2R |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | EMT6 |
其它名称 | EMD3T2RCT |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | EMT-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
配置 | Dual |
频率-跃迁 | 250MHz |