图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： RN1902FE,LF(CT
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1902FE,LF(CT由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1902FE,LF(CT价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1902FE,LF(CT封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1902FE,LF(CT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1902FE,LF(CT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN1902FE,LF(C 的晶体管属于 Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）品牌下的 双极型晶体管（BJT）阵列 - 预偏置型，主要应用于需要高效、稳定信号处理和逻辑控制的电路中。 该器件内部集成了多个预偏置BJT晶体管，通常用于以下场景： 1. 数字开关电路：适用于需要高速开关操作的数字逻辑电路，如逻辑电平转换、信号缓冲等。 2. 电源管理电路：用于电源控制和管理模块中，如DC-DC转换器、负载开关等，提供稳定、高效的电流控制。 3. 汽车电子系统：由于其稳定性和可靠性，常用于汽车中的控制模块，如车身控制、传感器信号处理等。 4. 工业自动化设备：在工业控制板中用于驱动继电器、LED指示灯、小型电机等负载。 5. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑等设备中的电源管理和信号切换电路。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，且预偏置设计简化了外围电路需求，提高了设计效率和稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902FE |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN1902FE,LF(CT |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | ES6 |
| 其它名称 | RN1902FE(T5LFT)CT |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
