ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > IMD9AT108
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IMD9AT108产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IMD9AT108由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMD9AT108价格参考¥0.84-¥1.73。ROHM SemiconductorIMD9AT108封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6。您可以下载IMD9AT108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMD9AT108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的IMD9AT108是一款双极型晶体管(BJT)阵列,属于预偏置类型。这种器件通常应用于需要高性能、低噪声和高增益的电路设计中。以下是IMD9AT108的主要应用场景: 1. 音频放大器 - IMD9AT108适合用于音频信号放大的前置放大器或驱动级电路。其预偏置特性能够提供稳定的直流工作点,确保音频信号的线性放大,减少失真。 - 常见应用包括耳机放大器、音响系统中的低噪声放大器等。 2. 射频(RF)和无线通信 - 在射频前端电路中,IMD9AT108可用于低噪声放大器(LNA),以增强接收到的微弱信号强度,同时保持低噪声性能。 - 适用于无线通信模块、收发器和传感器网络中的信号调理。 3. 工业控制与自动化 - 在工业控制系统中,该器件可用于信号调理电路,例如传感器信号放大、数据采集系统的输入缓冲等。 - 预偏置设计简化了电路设计,减少了对外部偏置电路的需求。 4. 医疗电子设备 - 医疗设备中的生物电信号(如心电图、脑电图)通常非常微弱,IMD9AT108可作为前置放大器,将这些信号放大到后续处理所需的水平。 - 其低噪声特性有助于提高信号质量,确保测量精度。 5. 测试与测量仪器 - 在示波器、信号发生器等测试设备中,IMD9AT108可用于构建高精度放大电路,以实现对复杂信号的准确测量和分析。 6. 电源管理与稳压电路 - 该器件可以用于稳压电路中的误差放大器部分,帮助实现更精确的电压调节。 - 在某些开关电源设计中,IMD9AT108可用作驱动级晶体管,提高效率和响应速度。 总结 IMD9AT108凭借其双极型晶体管的高增益、低噪声和预偏置特性,广泛应用于音频、射频、工业控制、医疗电子、测试测量以及电源管理等领域。其紧凑的阵列封装形式也使其在空间受限的设计中具有优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP/NPN 50V 100MA SOT-457 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor IMD9AT108- |
数据手册 | |
产品型号 | IMD9AT108 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SMT6 |
其它名称 | IMD9AT108DKR |
典型电阻器比率 | 0.212 |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 300mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SC-74-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 68 |
配置 | Dual |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | 250MHz |