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  • 型号: IMD9AT108
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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IMD9AT108产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IMD9AT108由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMD9AT108价格参考¥0.84-¥1.73。ROHM SemiconductorIMD9AT108封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6。您可以下载IMD9AT108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMD9AT108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的IMD9AT108是一款双极型晶体管(BJT)阵列,属于预偏置类型。这种器件通常应用于需要高性能、低噪声和高增益的电路设计中。以下是IMD9AT108的主要应用场景:

 1. 音频放大器
   - IMD9AT108适合用于音频信号放大的前置放大器或驱动级电路。其预偏置特性能够提供稳定的直流工作点,确保音频信号的线性放大,减少失真。
   - 常见应用包括耳机放大器、音响系统中的低噪声放大器等。

 2. 射频(RF)和无线通信
   - 在射频前端电路中,IMD9AT108可用于低噪声放大器(LNA),以增强接收到的微弱信号强度,同时保持低噪声性能。
   - 适用于无线通信模块、收发器和传感器网络中的信号调理。

 3. 工业控制与自动化
   - 在工业控制系统中,该器件可用于信号调理电路,例如传感器信号放大、数据采集系统的输入缓冲等。
   - 预偏置设计简化了电路设计,减少了对外部偏置电路的需求。

 4. 医疗电子设备
   - 医疗设备中的生物电信号(如心电图、脑电图)通常非常微弱,IMD9AT108可作为前置放大器,将这些信号放大到后续处理所需的水平。
   - 其低噪声特性有助于提高信号质量,确保测量精度。

 5. 测试与测量仪器
   - 在示波器、信号发生器等测试设备中,IMD9AT108可用于构建高精度放大电路,以实现对复杂信号的准确测量和分析。

 6. 电源管理与稳压电路
   - 该器件可以用于稳压电路中的误差放大器部分,帮助实现更精确的电压调节。
   - 在某些开关电源设计中,IMD9AT108可用作驱动级晶体管,提高效率和响应速度。

 总结
IMD9AT108凭借其双极型晶体管的高增益、低噪声和预偏置特性,广泛应用于音频、射频、工业控制、医疗电子、测试测量以及电源管理等领域。其紧凑的阵列封装形式也使其在空间受限的设计中具有优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP/NPN 50V 100MA SOT-457

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor IMD9AT108-

数据手册

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产品型号

IMD9AT108

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

68 @ 5mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SMT6

其它名称

IMD9AT108DKR

典型电阻器比率

0.212

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

300mW

功率耗散

300 mW

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

SC-74-6

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

68

配置

Dual

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

250MHz

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