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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB13,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB13,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB13,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMB13,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMB13,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Nexperia USA Inc.、分类为晶体管—双极(BJT)—阵列—预偏置的型号PEMB13,115,主要应用于需要高效、稳定信号处理和功率控制的电子设备中。其典型应用场景包括: 1. 电源管理和开关电路:由于内置预偏置电阻,该器件适用于简化电路设计,提升开关稳定性和响应速度,常用于DC-DC转换器、负载开关及电源管理模块。 2. 汽车电子系统:Nexperia的产品广泛应用于汽车领域,如车载充电系统、LED照明控制、电机驱动和传感器接口电路,PEMB13,115具备良好的稳定性和耐温性能,适合严苛环境。 3. 工业控制与自动化设备:用于继电器驱动、PLC模块、工业传感器信号调理等场景,提供可靠的小信号放大和开关功能。 4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中的电源控制、音频开关或LED背光调节等低功耗应用。 5. 通信设备:用于基站、路由器或光模块中的信号切换和接口控制电路,支持高效、紧凑的设计需求。 综上,PEMB13,115凭借其集成预偏置电阻、节省空间的阵列结构和高可靠性,适用于对性能和稳定性有要求的多种电子系统设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMB13,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMB13,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V |
| 产品种类 | Transistors - Arrays |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056871115 |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMB13 T/R |
| 频率-跃迁 | - |