Datasheet下载- 型号： PIMH9,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PIMH9,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PIMH9,115价格参考。NXP SemiconductorsPIMH9,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PIMH9,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PIMH9,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PIMH9,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含基极-发射极和基极-集电极电阻），采用 SOT-363（SC-70-6）小型封装。其典型应用场景包括： - 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA 或 ASIC 的I/O端口驱动，将低电流逻辑信号（如3.3V/5V TTL/CMOS）转换为足够驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极或光耦输入的开关信号。 - LED驱动与指示灯控制：内置偏置电阻简化外围电路，可直接连接MCU GPIO驱动单颗或多颗LED，适用于消费电子、工业面板、汽车仪表盘等对空间和BOM成本敏感的场景。 - 信号切换与负载开关：作为低功耗、中速（fₜ ≈ 100 MHz）开关，用于音频路径切换、传感器使能控制、电源通断管理（如为外设模块供电/断电）。 - 汽车电子辅助电路：符合AEC-Q101可靠性标准（需确认具体批次认证），适用于车身控制模块（BCM）、照明控制、HVAC面板等非安全关键但要求稳定性的车载应用。 - 替代分立偏置方案：相比用独立BJT+2~3颗电阻的设计，PIMH9,115显著减少PCB面积、贴片器件数量及装配成本，提升生产良率与一致性。 注意：该器件为NPN+NPN双通道共发射极结构，不适用于线性放大，仅推荐工作于饱和/截止开关状态。实际应用中需参考NXP官方数据手册（DS PIMH9）校验电气参数（如ICmax=100mA, VCEO=50V）及热设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PIMH9,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PIMH9,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 934056728115 |
| 典型电阻器比率 | 0.213 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SOT-457-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PIMH9 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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