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  • 型号: BC847BWT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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BC847BWT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC847BWT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847BWT1G价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorBC847BWT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)。您可以下载BC847BWT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC847BWT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor 的 BC847BWT1G 是一款 NPN 型双极结型晶体管(BJT),属于通用小信号晶体管,广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括:

1. 信号放大:常用于音频、射频及低频信号的放大电路中,适合处理小信号增益需求,如前置放大器、传感器信号调理等。

2. 开关控制:在数字和模拟电路中作为电子开关使用,适用于驱动继电器、LED、小型电机或逻辑电平转换,因其开关速度快、功耗低,适合便携式设备和嵌入式系统。

3. 电源管理:可用于低压电源电路中的稳压、电流检测或负载开关,配合其他元件实现简单的电源控制功能。

4. 消费类电子产品:广泛应用于手机、平板、电视、音响、家用电器等设备的控制与接口电路中。

5. 工业与汽车电子:由于具备良好的稳定性和可靠性,也用于工业控制模块、汽车电子中的传感器接口或执行器驱动电路。

BC847BWT1G 采用 SOT-23 小型表面贴装封装,节省空间,适合高密度PCB布局;其直流电流增益(hFE)典型值为200~450,具有较好的线性放大性能。同时,该器件符合RoHS环保标准,并具备无铅设计,适用于现代绿色电子产品制造。总体而言,BC847BWT1G是一款性价比高、应用灵活的小信号晶体管,适合多种通用电子设计场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 45V 100MA SOT-323两极晶体管 - BJT 100mA 50V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC847BWT1G-

数据手册

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产品型号

BC847BWT1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-70-3(SOT323)

其它名称

BC847BWT1G-ND
BC847BWT1GOSTR

功率-最大值

150mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SC-70-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

150 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流集电极/BaseGainhfeMin

150

系列

BC847BW

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极—射极饱和电压

0.6 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

100MHz

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