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  • 型号: BCX55-10,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BCX55-10,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCX55-10,115价格参考。NXP SemiconductorsBCX55-10,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 1A 180MHz 1.25W 表面贴装 SOT-89-3。您可以下载BCX55-10,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCX55-10,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 BCX55-10,115 是一款通用型 NPN 双极结型晶体管(BJT),广泛应用于中等功率的开关与放大电路中。该器件具有良好的电流增益和开关特性,最大集电极电流可达1 A,适用于需要可靠性和稳定性的电子系统。

典型应用场景包括:电源管理电路中的开关控制,如DC-DC转换器、继电器驱动和LED照明驱动;在消费类电子产品中用于信号放大或作为电子开关,如音频设备、家用电器和小型电机控制;工业控制领域中用于传感器信号调理、接口电路及低功率驱动电路;此外也常见于汽车电子模块中,如车灯控制、车载传感器驱动等,因其具备较好的温度稳定性和可靠性。

BCX55-10,115 采用SOT-223封装,具有较好的散热性能,适合在紧凑型高密度PCB设计中使用。其100V的集射极击穿电压使其适用于较高电压工作的环境,增强了应用灵活性。由于Nexperia产品以高质量和一致性著称,该型号常被用于对稳定性要求较高的工业和汽车级应用中。

综上,BCX55-10,115是一款性能可靠的通用NPN晶体管,适用于开关、驱动和放大等多种功能,在消费电子、工业控制和汽车电子等领域均有广泛应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT89两极晶体管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BCX55-10,115-

数据手册

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产品型号

BCX55-10,115

PCN封装

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PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

63 @ 150mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-89-3

其它名称

568-6132-2
933663080115
BCX55-10 T/R
BCX55-10 T/R-ND
BCX55-10,115-ND
BCX5510115

功率-最大值

1.25W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

180 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

SOT-89

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

1250 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1,000

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

63 at 150 mA at 2 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

63 at 150 mA at 2 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

零件号别名

BCX55-10 T/R

频率-跃迁

180MHz

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