ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MMST5551-7-F
Datasheet下载- 型号： MMST5551-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMST5551-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMST5551-7-F价格参考￥0.33-￥0.42。Diodes Inc.MMST5551-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 160V 200mA 300MHz 200mW 表面贴装 SOT-323。您可以下载MMST5551-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMST5551-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMST5551-7-F 是德州仪器（Texas Instruments）出品的NPN型通用双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23小型表面贴装封装，具有高电压（VCEO = 160 V）、中等电流（IC = 600 mA）、高增益（hFE典型值100–300）及fT ≈ 300 MHz等特点。其典型应用场景包括： 1. 小信号放大：适用于音频前置放大、传感器信号调理（如温度、光敏电阻微弱信号放大）等低功耗、中频模拟电路； 2. 开关控制：在数字逻辑接口、LED驱动、继电器/小型电磁阀驱动等场合，作为高速、可靠的小功率开关（开关频率可达数十MHz）； 3. 脉冲与波形生成：常用于多谐振荡器、定时电路（如与555配合）、脉冲整形及电平转换电路； 4. 电源管理辅助电路：如LDO使能控制、过压保护检测中的有源箝位或基准偏置电路； 5. 工业与消费类电子：广泛用于打印机、机顶盒、家电控制板、IoT节点等空间受限、需高可靠性与宽温工作（–55°C 至 +150°C）的嵌入式系统。 注：该型号为TI收购Diodes Incorporated部分产品线后沿用的兼容型号（原属Diodes Inc.），TI官方当前主推类似性能的替代品（如PMBT5551系列），但MMST5551-7-F仍被广泛用于成熟量产设计中，具备良好的供货稳定性与成本优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 160V SC70-3两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMST5551-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMST5551-7-F |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | MMST5551-FDIDKR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 160V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | MMST5551 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 180 V |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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