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Datasheet下载- 型号： SI7905DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI7905DN-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7905DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7905DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7905DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual。您可以下载SI7905DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7905DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7905DN-T1-GE3 是一款P沟道、30V、-6.3A的MOSFET阵列器件，采用双通道（双MOSFET）设计，封装为SO-8，具有低导通电阻和高可靠性。该器件广泛应用于需要高效电源管理和小尺寸解决方案的场景。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的电源开关和负载管理，用于控制电池供电路径或外设电源的通断；在DC-DC转换电路中作为同步整流或高端/低端开关，提升转换效率；在热插拔电路和电源多路复用系统中实现过流保护与平稳上电；还可用于驱动小型电机、LED背光或传感器模块等低功率负载。 SI7905DN-T1-GE3因其小封装、低功耗和高集成度，特别适合空间受限且注重能效的消费类电子产品和工业控制设备。其稳定的性能也适用于通信模块和电源管理系统中的信号切换与隔离。总体而言，该器件适用于对体积、功耗和可靠性要求较高的中低功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8MOSFET 40V 6.0A 20.8W 60mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?69920 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7905DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7905DN-T1-GE3SI7905DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 100 ns, 13 ns |
| 下降时间 | 11 ns, 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7905DN-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns, 26 ns |
| 功率-最大值 | 20.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 60 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7905DN-GE3 |
