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产品简介:
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APTM100H45SCTG 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology 旗下品牌)生产的一款功率 MOSFET 阵列器件,主要应用于高功率、高频率的电力电子系统中。 该器件属于碳化硅(SiC)MOSFET模块,具有高耐压、低导通电阻和高效开关性能,适用于如下的应用场景: 1. 工业电源与变频器:用于高效能的电源转换系统,如不间断电源(UPS)、逆变器和工业电机驱动,提升系统效率和功率密度。 2. 电动汽车与充电系统:可应用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器以及充电桩电源模块,支持高效率和快速充电需求。 3. 可再生能源系统:如太阳能逆变器和风力发电变流器,利用其高耐压和高频特性,提高能源转换效率并减小系统体积。 4. 轨道交通设备:适用于轨道交通中的牵引变流装置和辅助电源系统,具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 高频率开关电源:适用于通信电源、服务器电源等高频开关电源设计,提升效率并降低损耗。 该器件的高集成度和优异性能使其在高要求的功率应用中具备显著优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 4N CH 1000V 18A SP4 |
产品分类 | FET - 模块 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 4 个 N 通道(H 桥) |
品牌 | Microsemi Power Products Group |
数据手册 | http://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/8014-aptm100h45sctg-rev2-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
产品图片 | |
产品型号 | APTM100H45SCTG |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | POWER MOS 7® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 2.5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4350pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 154nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 毫欧 @ 9A,10V |
供应商器件封装 | SP4 |
功率-最大值 | 357W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SP4 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A |