Datasheet下载- 型号： SI9926CDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9926CDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9926CDY-T1-E3价格参考。VishaySI9926CDY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI9926CDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI9926CDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI9926CDY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，广泛应用于各种电子电路中，尤其是在需要高效开关和低功耗的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：SI9926CDY-T1-E3 可用于控制电源通断，实现高效的负载开关功能，适用于便携式设备（如智能手机、平板电脑）中的电源管理。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为同步整流 MOSFET 使用，提高转换效率并降低功耗。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于低功率电机驱动电路，例如风扇、微型泵等，提供高效率和低热损耗的开关性能。 - H 桥电路：在 H 桥配置中用作驱动元件，控制直流电机的正反转。 3. 信号切换 - 多路复用/解复用：在信号切换应用中，该器件可以实现不同信号路径的选择与切换，适合音频、视频或数据信号的处理。 - GPIO 扩展：在微控制器外围电路中，用作 GPIO 引脚扩展的开关元件。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其低导通电阻特性，设计过流保护电路以防止电流过大损坏后续电路。 - 短路保护：快速响应短路情况，切断电流路径，保护系统免受损害。 5. 电池管理系统 (BMS) - 电池充放电控制：在锂电池或其他可充电电池的管理系统中，用作充放电路径的开关，确保安全可靠的电池操作。 - 电量平衡：通过精确控制每个电池单元的充放电状态，实现电池组的均衡管理。 6. 消费类电子产品 - USB 接口保护：在 USB 端口中用作开关或保护元件，防止过压或过流对设备造成损害。 - 音频放大器：在低功率音频放大器中用作输出级开关，提供清晰稳定的音频信号。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on))：减少功率损耗，提高效率。 - 小尺寸封装 (TSSOP)：适合空间受限的设计。 - 高开关速度：支持高频应用，满足现代电子设备的需求。 综上所述，SI9926CDY-T1-E3 主要应用于电源管理、电机驱动、信号切换、保护电路以及消费类电子产品等领域，是一款高性能且多功能的 MOSFET 阵列。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOICMOSFET 20V 8.0A 3.1W 18mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI9926CDY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI9926CDY-T1-E3SI9926CDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 10 ns, 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns, 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 8.3A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns, 25 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI9926CDY-E3 |
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