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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF7379QTRPBF是一款MOSFET阵列器件,属于功率场效应晶体管(FET)类别。该器件主要应用于需要高效功率管理与高可靠性的电子系统中。 IRF7379QTRPBF常用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及汽车电子系统中。其高集成度和优良的导通电阻特性使其特别适用于需要高效能与小型化设计的场合。 该器件采用先进的封装技术,具备良好的热管理和电气性能,适合在高电流、高频工作环境下运行。典型应用场景包括: 1. 电源管理模块:如笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源转换。 2. 汽车电子系统:如车载充电系统、电机驱动和车身控制模块。 3. 工业控制设备:用于自动化设备中的功率开关与负载管理。 4. 电池供电设备:在需要节能与延长电池寿命的设计中作为高效开关使用。 总之,IRF7379QTRPBF凭借其高集成度、低导通电阻和优良的热性能,广泛应用于通信、计算、工业和汽车等多个领域的功率控制场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF7379QTRPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 5.8A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF7379QTRPBFDKR |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.8A,4.3A |