Datasheet下载- 型号： SI9933BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9933BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9933BDY-T1-E3价格参考。VishaySI9933BDY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI9933BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI9933BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI9933BDY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于需要高效功率管理、低导通电阻和高开关性能的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载切换：用于控制负载的开启和关闭，确保电路的安全运行。 - DC-DC 转换器：作为同步整流器或开关元件，用于提高效率和降低功耗。 - 电池保护：在便携式设备中，用于防止过流、短路或反向电流。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供高效的开关性能和低损耗。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源管理模块，如 USB 充电端口保护和电源分配。 - 笔记本电脑：用于主板上的电源管理和散热控制。 4. 通信设备 - 在路由器、交换机等网络设备中，用于信号切换和电源管理。 5. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频放大器和其他子系统的电源管理。 - 车身控制模块：用于灯光控制、车窗升降等功能。 6. 工业应用 - 传感器接口：用于信号调理和电源隔离。 - 可编程逻辑控制器 (PLC)：用于输入/输出信号的开关控制。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：减少功率损耗，提高效率。 - 高静电放电 (ESD) 保护：增强器件的可靠性。 - 小型封装：节省电路板空间，适合紧凑设计。 综上，SI9933BDY-T1-E3 凭借其优异的电气特性和紧凑封装，非常适合各种需要高效功率转换和开关的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI9933BDY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 4.7A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI9933BDY-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A |
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