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Datasheet下载- 型号： IRF6613TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6613TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6613TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6613TR1PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 23A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MT。您可以下载IRF6613TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6613TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF6613TR1PBF是一款N沟道功率MOSFET，其主要应用场景集中在需要高效能、低损耗和高可靠性的电力电子设备中。具体应用领域如下： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：IRF6613TR1PBF广泛应用于开关电源中，作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性有助于提高电源转换效率，减少能量损耗。 - DC-DC转换器：在降压、升压或升降压转换器中，该MOSFET能够提供高效的电流控制，确保输出电压的稳定性和响应速度。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）驱动：IRF6613TR1PBF可用于驱动无刷直流电机，特别是在电动工具、家用电器和工业自动化设备中。其低导通电阻有助于减少发热，提升电机的运行效率。 - 步进电机驱动：在精密控制系统中，如3D打印机、机器人等，该MOSFET可以用于驱动步进电机，提供精确的电流控制和快速响应。 3. 电池管理系统（BMS） - 锂电池保护电路：在锂电池组中，IRF6613TR1PBF可以用作充放电保护开关，防止过充、过放和短路等异常情况，确保电池的安全性和使用寿命。 - 电池均衡电路：通过调节不同电池单元之间的电压差异，IRF6613TR1PBF可以帮助实现电池组的均衡充电，延长电池的整体寿命。 4. 消费电子 - 笔记本电脑适配器：在笔记本电脑的电源适配器中，该MOSFET可以用于功率转换部分，确保高效的电能传输并减少发热。 - 智能手机快充模块：在支持快速充电的移动设备中，IRF6613TR1PBF可以用于充电电路中的功率管理，确保快速充电的同时保持安全性和稳定性。 5. 汽车电子 - 车载逆变器：在电动汽车和混合动力汽车中，IRF6613TR1PBF可以用于车载逆变器，将直流电转换为交流电，驱动电动机或其他交流负载。 - LED驱动电路：在汽车照明系统中，该MOSFET可以用于驱动LED灯，提供稳定的电流输出，确保灯光的亮度和可靠性。 总之，IRF6613TR1PBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子应用，尤其在需要高效能和低功耗的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFETMOSFET MOSFT 40V 150A 3.4mOhm 42nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 23 A |
| Id-连续漏极电流 | 23 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6613TR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6613TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5950pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 23A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MT |
| 其它名称 | IRF6613TR1PBFCT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MT |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Ta）， 150A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6613.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6613.spi |
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