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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMD4N03R2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMD4N03R2G价格参考。ON SemiconductorNVMD4N03R2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVMD4N03R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVMD4N03R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NVMD4N03R2G的ON Semiconductor产品属于晶体管中的MOSFET阵列器件。该器件集成了多个MOSFET晶体管,适用于需要高效功率管理和开关控制的应用场景。 NVMD4N03R2G常用于以下应用场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统,因其具备低导通电阻和高效率特性,有助于提升系统能效并减少发热。 2. 电机驱动:适用于小型电机或步进电机的控制电路,作为功率开关使用,实现对电机启停与方向的控制。 3. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)或工业控制模块中,用作高速开关元件,驱动继电器、电磁阀等执行机构。 4. 消费类电子产品:如智能家电、LED照明调光系统中,用于功率调节与负载控制。 5. 汽车电子:可用于车载电源分配系统或辅助电机控制系统,满足汽车应用中对可靠性和耐环境能力的要求。 该器件采用紧凑封装,集成多颗MOSFET,有助于节省PCB空间,提高设计灵活性,适合中低功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 4A 30V SO8FL |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVMD4N03R2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 4A,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A |