Datasheet下载- 型号： SI4942DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4942DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4942DY-T1-E3价格参考。VishaySI4942DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4942DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4942DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4942DY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，广泛应用于各种电子电路中，主要用于开关和功率管理。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - 用于 DC-DC 转换器中的同步整流，提高效率并降低功耗。 - 在电池管理系统 (BMS) 中作为充放电控制开关。 - 实现负载开关功能，动态控制电路的通断，减少待机功耗。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动电路中用作功率开关，适用于消费电子、家用电器等场景。 - 提供低导通电阻（Rds(on)），减少开关过程中的能量损耗。 3. 信号切换 - 用于多路复用器或多路信号切换，实现不同信号路径的选择。 - 在音频设备中切换输入或输出信号，确保信号完整性。 4. 保护电路 - 实现过流保护、短路保护等功能，防止电路因异常电流而损坏。 - 用于热插拔保护，避免设备插入或拔出时产生浪涌电流。 5. 便携式设备 - 应用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的电源管理模块。 - 其紧凑的封装形式（如 TSOP6）适合空间受限的设计。 6. 通信设备 - 在基站、路由器等通信设备中，用于电源分配和信号切换。 - 提供高效的功率转换，支持高频率操作。 特性优势： - 低导通电阻：有助于降低功耗，提高系统效率。 - 小型封装：节省 PCB 空间，适合高密度设计。 - 高可靠性：符合工业标准，能够在严苛环境下稳定工作。 总结来说，SI4942DY-T1-E3 适用于需要高效功率开关和信号切换的应用场合，特别是在注重能效和小型化的现代电子产品中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOICMOSFET 40V 7.4A 2.1W 21mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.3 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71887 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4942DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4942DY-T1-E3SI4942DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 21 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 21 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 7.4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4942DY-T1-E3-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI4942DY-E3 |
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