Datasheet下载- 型号： CY14B108N-BA25XI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B108N-BA25XI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B108N-BA25XI价格参考。Cypress SemiconductorCY14B108N-BA25XI封装/规格：存储器， NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （512K x 16） 并联 25ns 48-FBGA（6x10）。您可以下载CY14B108N-BA25XI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY14B108N-BA25XI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14B108N-BA25XI 是英飞凌（Infineon Technologies）旗下的一款 8-Mbit（1 M × 8）非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM），采用并行接口，工作电压为3.3 V，最大访问时间为25 ns，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），封装为48-pin TSOP II。 其核心优势在于：无需外部电池即可实现数据掉电自动保存（基于内部集成的SONOS非易失性单元与SRAM协同架构），读写速度媲美普通SRAM，同时具备EEPROM/FRAM级别的数据保持能力（典型保持时间达20年）。 主要应用场景包括： ✅ 工业自动化设备：PLC、运动控制器、HMI中用于保存运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息，确保断电后即时恢复； ✅ 通信基础设施：基站控制板、交换机/路由器中的配置寄存器缓存、MAC地址表备份； ✅ 医疗电子设备：监护仪、影像设备中存储患者设置、校准系数及紧急事件记录，满足高可靠性与数据完整性要求； ✅ 汽车电子（符合AEC-Q100 Grade 2）：车载网关、ADAS控制单元中暂存实时诊断数据或安全相关配置，支持宽温与长寿命需求； ✅ 智能电表与能源管理系统：记录用电数据、需量值及事件时标，满足国网/南网对掉电数据不丢失的强制规范。 该器件替代传统“SRAM+电池+看门狗”方案，显著提升系统可靠性、简化PCB设计、降低维护成本，适用于对数据安全性、实时性与长期稳定性有严苛要求的嵌入式场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 8MBIT 25NS 48FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=50893 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY14B108N-BA25XI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=48110http://www.cypress.com/?docID=48117 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-FBGA（6x10） |
| 其它名称 | 428-3281 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 8M（512K x 16） |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 299 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 25ns |
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