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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI1553DL-T1 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列,常用于需要高效、低电压控制的电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于便携式设备如智能手机、平板电脑中的电源开关和负载管理,因其低导通电阻(Rds(on))可减少功率损耗,提高能效。 2. 负载开关与电源分配:用于控制多个负载的开启与关闭,实现对不同电路模块的独立供电管理,常见于工业控制系统和嵌入式设备中。 3. DC-DC转换器:作为高频开关元件,用于升压(Boost)或降压(Buck)电源转换电路中,适用于电池供电设备中的电压调节。 4. 电机驱动与继电器替代:在小型电机或电磁阀控制中作为固态开关使用,具有响应速度快、无机械磨损的优点。 5. 电池保护电路:用于锂离子电池的充放电保护电路中,控制充放电路径,防止过流、短路等异常情况。 6. 信号切换与多路复用:在低电压模拟或数字信号路径中实现高速切换,适用于通信模块和传感器接口电路。 该器件采用小型DFN封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N/P-CH 20V 660MA SC70-6 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI1553DL-T1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 600mV @ 250µA (最小) |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.2nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 385 毫欧 @ 660mA, 4.5V |
供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
功率-最大值 | 270mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 660mA,410mA |