Datasheet下载- 型号： SI7904DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7904DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7904DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7904DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7904DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7904DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7904DN-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提高能效并减小电路体积。 2. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的控制，提供快速开关响应和低导通电阻。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和便携式仪器，用于延长电池寿命和提升系统效率。 4. 工业自动化：在PLC、传感器模块及继电器替代方案中实现高可靠性和紧凑设计。 5. 汽车电子：用于车身控制模块（BCM）、LED照明驱动和车载充电系统等场景。 该器件采用小型DFN封装，具备低Rds(on)和高频率响应特性，适合空间受限且要求高性能的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7904DN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 935µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 7.7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A |
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