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Datasheet下载- 型号： PMBF4393,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PMBF4393,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBF4393,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBF4393,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBF4393,215封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 40V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)。您可以下载PMBF4393,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBF4393,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBF4393,215 是由 NXP USA Inc. 生产的一款结型场效应晶体管（JFET），属于N沟道JFET，常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装，适合空间受限的高密度电路设计。 其典型应用场景包括： 1. 低噪声放大器：由于JFET具有较低的输入噪声特性，PMBF4393,215 常用于前置放大器电路，如音频放大器、传感器信号调理电路和精密测量设备中，可有效提升信噪比。 2. 模拟开关与衰减器：凭借其良好的线性特性和电压控制能力，适用于模拟信号切换或自动增益控制（AGC）电路。 3. 振荡器与调制电路：在高频小信号应用中，可用于构建稳定的振荡电路或射频调制模块。 4. 高阻抗输入级：在运算放大器输入级、示波器探头或电荷放大器中，利用其高输入阻抗特性，减少对信号源的负载影响。 此外，该器件具备良好的温度稳定性和可靠性，适用于工业控制、消费电子、通信设备及便携式仪器等环境。其小型封装也使其广泛应用于需要紧凑设计的现代电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | JFET N-CH 40V 250MW SOT23JFET JFET N-CH 40V 100mA |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 mA |
| Id-连续漏极电流 | 30 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,NXP Semiconductors PMBF4393,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBF4393,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 500mV @ 1nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 20V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 20V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-5032-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏极连续电流 | 30 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 漏源电压VDS | 40 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | 100 欧姆 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 40 V |
| 零件号别名 | PMBF4393 T/R |
