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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SST4416-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SST4416-E3价格参考。VishaySST4416-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SST4416-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SST4416-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SST4416-E3是一款N沟道JFET(结型场效应晶体管),其主要应用场景包括以下方面: 1. 信号调节与放大: SST4416-E3因其低噪声特性和高输入阻抗,非常适合用于音频、射频(RF)和信号处理电路中的信号调节与放大。例如,在音频前置放大器中,它可以提供高质量的信号放大,同时保持低失真。 2. 开关应用: 该JFET可用作模拟开关或电子开关,适用于需要快速切换和低导通电阻的应用场景,如多路复用器、采样保持电路等。 3. 电源管理: 在低功耗系统中,SST4416-E3可用于电流限制、电压调节或负载开关,帮助实现高效的电源管理。 4. 保护电路: 其内置的ESD保护特性使其适合用于敏感设备的输入/输出保护电路,防止静电损坏。 5. 传感器接口: 高输入阻抗特性使SST4416-E3成为传感器信号调理的理想选择,例如在压力传感器或温度传感器的接口电路中。 6. 通信设备: 在通信领域,该器件可应用于调制解调器、无线模块和其他需要高频性能的电路中。 7. 工业控制: 由于其稳健的设计和宽工作温度范围(-55°C至+150°C),SST4416-E3适用于工业自动化、电机控制和数据采集系统。 总结来说,SST4416-E3凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、通信、工业控制和医疗设备等领域,特别是在需要低噪声、高输入阻抗和快速响应的场景中表现突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | JFET N-CH 36V 5MA SOT-23JFET 36V 5mA |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,Vishay / Siliconix SST4416-E3- |
数据手册 | |
产品型号 | SST4416-E3SST4416-E3 |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 30 V |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 3V @ 1nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2.2pF @ 15V |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | SOT-23 |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Can |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1,000 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | - |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
电阻-RDS(开) | - |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | - 30 V |