Datasheet下载- 型号： 2N5460_D27Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5460_D27Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5460_D27Z价格参考。Fairchild Semiconductor2N5460_D27Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5460_D27Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5460_D27Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5460_D27Z 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 前置放大器：由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，2N5460_D27Z常用于音频和射频信号的前置放大电路中，以提高信号质量和减少干扰。 2. 模拟开关与多路复用器：该器件可作为模拟开关使用，在信号路径控制中实现高效切换，适用于测试设备和自动控制系统。 3. 电压控制电阻：JFET可以在一定范围内作为电压控制的可变电阻使用，适用于电平移位或信号衰减电路。 4. 射频（RF）电路：在低功率射频应用中，如接收机前端电路，2N5460_D27Z可用于信号放大，因其高频响应良好，有助于提升系统灵敏度。 5. 传感器接口电路：高输入阻抗使其适合用于连接高阻抗传感器（如某些类型的麦克风、压力传感器等），以避免负载效应影响测量精度。 总之，2N5460_D27Z凭借其低噪声、高输入阻抗及良好的稳定性，广泛应用于音频设备、通信系统、测试仪器及各类精密模拟电路中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET P-CH 40V 350MW TO92 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2N5460_D27Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 750mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | - |
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