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  • 型号: MMBFJ175LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MMBFJ175LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ175LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ175LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBFJ175LT1G封装/规格:晶体管 - JFET, JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBFJ175LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBFJ175LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBFJ175LT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小型表面贴装器件,广泛应用于模拟和高频电路中。其主要应用场景包括:

1. 低噪声放大器:由于JFET具有较低的噪声系数,MMBFJ175LT1G常用于音频前置放大器、传感器信号调理电路等对噪声敏感的场合。

2. 射频(RF)电路:适用于小信号射频放大、混频器和调制解调电路,常见于无线通信设备、射频接收模块中。

3. 模拟开关与增益控制:凭借其良好的线性特性和电压控制能力,可用于模拟信号开关或可变增益放大电路。

4. 振荡器与缓冲器:在高频振荡电路和信号缓冲电路中,该器件能提供稳定的输入阻抗和高输入阻抗特性,减少对前级电路的影响。

5. 便携式电子设备:采用SOT-23封装,体积小、功耗低,适合用于手机、耳机放大器、便携式测量仪器等空间受限的电子产品。

6. 工业与汽车电子:因其符合AEC-Q101车规标准(G后缀表示汽车级),也广泛应用于车载传感器接口、车身控制模块等汽车电子系统中。

综上,MMBFJ175LT1G凭借其小型化、低噪声、高可靠性等特点,在消费电子、通信、汽车电子等领域的小信号处理电路中发挥重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET P-CH 30V 225MW SOT23JFET 25V 10mA

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

P 沟道

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,ON Semiconductor MMBFJ175LT1G-

数据手册

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产品型号

MMBFJ175LT1G

PCN过时产品

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Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgs=0时的漏-源电流

7 mA to 60 mA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

3V @ 10nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

7mA @ 15V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

11pF @ 10V(VGS)

产品种类

JFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBFJ175LT1GOSDKR

功率-最大值

225mW

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

标准包装

1

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

-

电压-击穿(V(BR)GSS)

30V

电阻-RDS(开)

125 欧姆

系列

MMBFJ175L

配置

Single

闸/源击穿电压

30 V

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