ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - JFET > MMBFJ175LT1G
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
MMBFJ175LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ175LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ175LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBFJ175LT1G封装/规格:晶体管 - JFET, JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBFJ175LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBFJ175LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBFJ175LT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小型表面贴装器件,广泛应用于模拟和高频电路中。其主要应用场景包括: 1. 低噪声放大器:由于JFET具有较低的噪声系数,MMBFJ175LT1G常用于音频前置放大器、传感器信号调理电路等对噪声敏感的场合。 2. 射频(RF)电路:适用于小信号射频放大、混频器和调制解调电路,常见于无线通信设备、射频接收模块中。 3. 模拟开关与增益控制:凭借其良好的线性特性和电压控制能力,可用于模拟信号开关或可变增益放大电路。 4. 振荡器与缓冲器:在高频振荡电路和信号缓冲电路中,该器件能提供稳定的输入阻抗和高输入阻抗特性,减少对前级电路的影响。 5. 便携式电子设备:采用SOT-23封装,体积小、功耗低,适合用于手机、耳机放大器、便携式测量仪器等空间受限的电子产品。 6. 工业与汽车电子:因其符合AEC-Q101车规标准(G后缀表示汽车级),也广泛应用于车载传感器接口、车身控制模块等汽车电子系统中。 综上,MMBFJ175LT1G凭借其小型化、低噪声、高可靠性等特点,在消费电子、通信、汽车电子等领域的小信号处理电路中发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | JFET P-CH 30V 225MW SOT23JFET 25V 10mA |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor MMBFJ175LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBFJ175LT1G |
| PCN过时产品 | |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 7 mA to 60 mA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 3V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 7mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11pF @ 10V(VGS) |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBFJ175LT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS(开) | 125 欧姆 |
| 系列 | MMBFJ175L |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 30 V |