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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供KSK30OBU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSK30OBU价格参考。Fairchild SemiconductorKSK30OBU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载KSK30OBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KSK30OBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSK30OBU是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款结型场效应晶体管(JFET),属于N沟道JFET。该器件广泛应用于需要高输入阻抗、低噪声和良好线性性能的模拟电路中。 典型应用场景包括: 1. 音频放大器:由于JFET具有较低的噪声和良好的线性特性,KSK30OBU常用于前置放大器、麦克风放大器和高品质音频信号处理电路中。 2. 模拟开关与多路复用器:JFET可作为电压控制开关使用,适用于低失真模拟开关或信号路由电路。 3. 传感器接口电路:在需要高输入阻抗的传感器信号采集系统中,如温度、压力或生物电信号检测,KSK30OBU可用于构建高精度放大电路。 4. 射频(RF)与高频电路:该器件在高频条件下仍能保持良好性能,适合用于射频信号放大或混频器前端。 5. 电压控制电阻:JFET可在特定电路中作为可变电阻使用,例如在自动增益控制(AGC)电路中实现动态调节功能。 总结来说,KSK30OBU因其优异的模拟性能,在音频设备、测试仪器、通信系统及精密测量装置中均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 50V 100MW TO92 |
| 产品分类 | JFET(结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | KSK30OBU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 400mV @ 100nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 600µA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8.2pF @ 0V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 50V |
| 电阻-RDS(开) | - |