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  • 型号: IRF840ASTRLPBF
  • 制造商: Vishay
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IRF840ASTRLPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF840ASTRLPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF840ASTRLPBF价格参考¥7.01-¥7.90。VishayIRF840ASTRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 500V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载IRF840ASTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF840ASTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 IRF840ASTRLPBF 是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件具有高耐压、低导通电阻和优良的开关性能,适用于多种中高压功率应用。

典型应用场景包括:开关电源(SMPS),如AC-DC和DC-DC转换器,因其具备400V的漏源电压(VDS)和良好的动态特性,适合在中等功率电源中实现高效能开关;逆变器电路,如UPS(不间断电源)和太阳能逆变器,用于直流到交流的电能转换;电机驱动系统,广泛应用于工业控制、家用电器和电动工具中,作为电机的开关控制元件;此外,也常用于电子镇流器、LED照明驱动电源和感应加热设备中,发挥其快速开关和耐高温优势。

IRF840ASTRLPBF采用TO-262封装,具备良好的散热性能和可靠性,并符合RoHS环保标准(无铅),适合自动化贴装,广泛用于工业、消费类及通用电源领域。其坚固的设计使其在高温、高电压环境下仍能稳定工作,是中高压功率开关应用中的常用选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAKMOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF840ASTRLPBF-

数据手册

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产品型号

IRF840ASTRLPBFIRF840ASTRLPBF

Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

850 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

850 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

23 ns

下降时间

19 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1018pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

850 毫欧 @ 4.8A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

IRF840ASTRLPBFCT

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

3.1W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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