【未分类_IRFR4105ZPBF】封装/厂家_IRFR4105ZPBF中文资料_价格

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型号： IRFR4105ZPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR4105ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR4105ZPBF价格参考。International RectifierIRFR4105ZPBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFR4105ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR4105ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFR4105ZPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于“晶体管 - FET，MOSFET - 单”类别。以下是该型号的一些典型应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - IRFR4105ZPBF适用于各种开关电源设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少传导损耗，提高效率。
   - 常用于笔记本适配器、手机充电器和其他消费类电子产品的电源管理。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，该MOSFET可用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 其快速开关能力和低功耗特性非常适合高效电机驱动应用。

 3. 逆变器
   - 用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等设备中，作为功率级开关元件，实现直流到交流的转换。
   - 其高电流处理能力和耐压特性使其能够承受逆变器中的电压和电流波动。

 4. 负载开关
   - 在需要动态控制负载电流的应用中，IRFR4105ZPBF可以用作负载开关，快速切换负载的通断状态。
   - 例如，在汽车电子系统中，用于控制车灯、风扇或其他电气负载。

 5. 电池管理系统（BMS）
   - 在电池保护电路中，该MOSFET可用作充放电路径的开关，确保电池的安全运行。
   - 它的低导通电阻有助于降低电池系统的能量损耗，提高整体效率。

 6. 音频放大器
   - 在D类音频放大器中，IRFR4105ZPBF可用作输出级开关器件，提供高效的音频信号放大。
   - 其低热阻和良好的散热性能有助于保持设备稳定运行。

 7. 工业自动化
   - 在工业控制领域，如可编程逻辑控制器（PLC）、继电器驱动和传感器接口中，该MOSFET可用作开关元件。
   - 其高可靠性适合长时间运行的工业环境。

 总结
IRFR4105ZPBF凭借其出色的电气性能（如低导通电阻、高电流容量和快速开关速度），广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。选择具体应用场景时，需根据实际需求考虑其耐压、电流和频率特性是否满足要求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 55V 30A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms 18nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	30 A
Id-连续漏极电流	30 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR4105ZPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFR4105ZPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	48 W
Pd-功率耗散	48 W
Qg-GateCharge	18 nC
Qg-栅极电荷	18 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	24.5 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	24.5 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	55 V
Vds-漏源极击穿电压	55 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	40 ns
下降时间	24 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	740pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	27nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	24.5 毫欧 @ 18A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
典型关闭延迟时间	26 ns
功率-最大值	48W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Tube
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	75
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	75
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	30A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru4105z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru4105z.spi
通道模式	Enhancement
配置	Single