ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > SBC856BDW1T1G
Datasheet下载- 型号： SBC856BDW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SBC856BDW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBC856BDW1T1G价格参考￥0.43-￥0.64。ON SemiconductorSBC856BDW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载SBC856BDW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SBC856BDW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SBC856BDW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款双极性晶体管（BJT）阵列器件，属于PNP型双晶体管阵列，采用SOT-26W小型化表面贴装封装。该器件集成了两个独立的PNP晶体管，具有良好的匹配性和热稳定性，适用于需要紧凑设计和高可靠性的电路。 其典型应用场景包括： 1. 信号放大与开关控制：常用于低功率模拟信号放大或数字开关电路中，如音频前置放大、传感器信号调理等。 2. 电源管理电路：在电池供电设备中作为负载开关或电平转换器，实现对电源通断的高效控制。 3. 驱动电路：用于驱动LED、继电器、小型电机等负载，特别适合便携式消费类电子产品中的低电流驱动需求。 4. 逻辑接口电路：在微控制器与外围设备之间实现电平匹配和信号隔离，提升系统兼容性与抗干扰能力。 5. 汽车电子模块：得益于安森美在汽车领域的优势，该器件也广泛应用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对温度范围和可靠性要求较高的环境。 SBC856BDW1T1G具有低饱和电压、高增益和优良的开关特性，工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），适合工业级和汽车级应用。其小型封装有助于节省PCB空间，适用于高密度布局的现代电子设备，如智能手机、可穿戴设备、物联网终端及汽车电子控制系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SBC856BDW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 650mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 220 @ 2mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 65V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA （ICBO） |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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