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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFR15N20DTRPBF的MOSFET属于高性能功率场效应晶体管,主要应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。 该器件是一款N沟道增强型MOSFET,耐压达200V,导通电阻低,适用于开关速度快、效率要求高的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于高效电能转换。 2. 电机驱动:在电动工具、工业自动化设备和电动车中作为开关元件使用。 3. 负载开关:用于控制高功率负载的通断,如照明系统、加热元件等。 4. 逆变器系统:在太阳能逆变器或不间断电源(UPS)中实现直流到交流的能量转换。 5. 电池管理系统(BMS):用于保护和控制电池充放电过程。 该MOSFET采用表面贴装封装(如TO-252),适合自动化生产,广泛应用于工业控制、汽车电子及消费类电源产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 17A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFR15N20DTRPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 910pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 165 毫欧 @ 10A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 6,000 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |