Datasheet下载- 型号： 2N7002-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002-7价格参考。Diodes Inc.2N7002-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N7002-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的 MOSFET 具有低电压驱动能力、小封装尺寸和高开关速度等特点，广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - 2N7002-7 常用于开关电源中的同步整流或辅助开关电路。由于其低导通电阻（典型值为 3.5Ω），能够有效降低功耗，提高效率。 - 可用作 DC-DC 转换器中的高频开关元件。 2. 负载开关 - 在便携式设备（如手机、平板电脑等）中，2N7002-7 可作为负载开关，用于控制不同电路模块的供电状态，以实现省电功能。 - 其低栅极电荷特性使其适合快速开关应用。 3. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。通过 PWM（脉宽调制）信号控制 MOSFET 的开关状态，可以调节电机的速度和方向。 - 其额定电压为 60V，足以应对大多数低压电机应用。 4. 信号切换 - 在音频、视频或其他信号处理电路中，2N7002-7 可用作信号切换元件，实现多路信号的选择或隔离。 - 其低漏电流特性有助于保持信号的完整性。 5. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护或反向电池保护。例如，在锂电池管理系统中，2N7002-7 可防止电池过放电或外部短路对电路的损害。 - 其快速响应时间使其能够在异常情况下迅速切断电流路径。 6. LED 驱动 - 在 LED 照明电路中，2N7002-7 可用于控制 LED 的亮度（通过 PWM 调光）或实现恒流驱动。 - 其紧凑的 SOT-23 封装非常适合空间受限的应用场合。 7. 通信设备 - 在无线通信模块或物联网设备中，2N7002-7 可用于功率放大器的偏置控制或天线切换。 总结 2N7002-7 凭借其出色的性能和可靠性，成为低功率、小信号及开关应用的理想选择。它特别适合需要高效能、低成本和小型化的消费类电子产品、工业设备及汽车电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2N7002-7 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | 2N7002DI |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 115mA （Ta） |
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