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Datasheet下载- 型号： STL15N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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STL15N65M5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL15N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL15N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTL15N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 650V 10A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat™（5x6）。您可以下载STL15N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL15N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL15N65M5是一款N沟道增强型MOSFET，具有650V的耐压能力、低导通电阻（Rds(on)）以及优异的开关性能。该型号适用于多种高压应用场景，主要包括以下领域： 1. 开关电源（SMPS） STL15N65M5广泛应用于开关电源的设计中，例如AC-DC转换器和DC-DC转换器。其高耐压特性和低导通损耗使其非常适合用于功率因数校正（PFC）电路和反激式变换器。 2. 电机驱动 在工业自动化和家用电器中，该MOSFET可用于驱动中小功率电机。其快速开关速度和高效率有助于减少能耗并提高系统可靠性。 3. 逆变器 STL15N65M5适用于太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，能够高效地将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的稳定运行。 4. 电池管理系统（BMS） 在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）或便携式电子设备的电池保护电路中，这款MOSFET可以用作充放电控制开关，确保电池的安全和长寿命。 5. 固态继电器（SSR） 由于其高耐压能力和低漏电流特性，STL15N65M5是实现固态继电器的理想选择，可以替代传统机械继电器以提高可靠性和寿命。 6. 家电与照明 在现代家电（如空调、冰箱等）和LED照明系统中，该器件被用作功率开关，提供高效的负载控制和调光功能。 总之，STL15N65M5凭借其出色的电气性能和稳定性，成为许多需要高压、高频和高效能应用场合的理想解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 10A PWRFLT 5X6MOSFET N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL15N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL15N65M5 |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 375 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 12.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 816pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 375 毫欧 @ 5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6） |
| 其它名称 | 497-13966-6 |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PowerFlat-4 5x6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | STL15N65M5 |
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