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Datasheet下载- 型号： SI4477DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4477DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4477DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4477DY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 26.6A（Tc） 3W（Ta），6.6W（Tc） 8-SO。您可以下载SI4477DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4477DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4477DY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：SI4477DY-T1-GE3 的低导通电阻（Rds(on)）使其非常适合用于高效能的开关电源设计，例如 DC-DC 转换器。 - 负载开关：在便携式设备中，该 MOSFET 可用作负载开关，控制电流流向不同电路模块，同时减少功耗。 2. 电池管理系统 - 电池保护：在锂电池或可充电电池组中，可用于防止过流、短路和过放电等异常情况。 - 电池充电电路：作为充电路径中的开关元件，确保充电过程安全且高效。 3. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于玩具、家用电器和其他需要低功率电机驱动的应用场景。 - H 桥电路：在双方向电机控制中，该 MOSFET 可作为 H 桥的一部分，实现电机正转和反转。 4. 消费电子 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理单元 (PMU)，提供高效的电源切换功能。 - 音频设备：在音频放大器中用作开关元件，支持低失真信号传输。 5. 通信设备 - 数据通信接口：在 USB、以太网等通信接口中，用作信号路径的开关或保护元件。 - 热插拔保护：在服务器和网络设备中，防止因热插拔导致的电压瞬变。 6. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM)：用于控制车窗升降、座椅调节等功能。 - LED 照明：在汽车 LED 灯具中，作为驱动和保护元件。 7. 工业应用 - 传感器接口：在工业自动化设备中，用作传感器信号的开关或隔离元件。 - 继电器替代：在需要快速开关响应的场合，可以用 MOSFET 替代传统机械继电器。 总结 SI4477DY-T1-GE3 凭借其低 Rds(on)、高开关速度和紧凑的封装尺寸，广泛应用于需要高效能、低功耗和小体积解决方案的领域。无论是消费电子、通信设备还是工业控制，这款 MOSFET 都能提供可靠的性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOICMOSFET 30V 6.2mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4477DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4477DY-T1-GE3SI4477DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 42 ns |
| 下降时间 | 42 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 190nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.2 毫欧 @ 18A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4477DY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 6.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 26.6A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SI4477DY-GE3 |
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