ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > SMUN5311DW1T1G
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5311DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5311DW1T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5311DW1T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载SMUN5311DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMUN5311DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5311DW1T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管阵列,内部集成了两个NPN型BJT晶体管,并内置偏置电阻,简化了外围电路设计。该器件采用SOT-26W小型化封装,具有高集成度和节省PCB空间的优势。 主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备:由于其小尺寸和低功耗特性,广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换、LED驱动或电源管理电路。 2. 消费类电子产品:适用于电视、机顶盒、遥控器等设备中的逻辑电平转换、开关控制和继电器驱动。 3. 工业与汽车电子:在汽车照明控制、传感器信号调理、ECU模块中用于驱动小型负载或实现数字信号放大与隔离。 4. 接口电路:常用于微控制器与高功率器件之间的缓冲级,实现I/O扩展与电平匹配。 5. 替代传统分立偏置电路:因其内置偏置电阻,可有效减少元件数量,提高系统可靠性,适用于需要紧凑设计的中低频开关应用。 该器件具备良好的温度稳定性和可靠性,符合RoHS环保标准,适合自动化贴片生产,广泛应用于对空间和效率要求较高的现代电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR DUAL 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor SMUN5311DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMUN5311DW1T1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | SMUN5311DW1T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 系列 | MUN5311DW1 |
| 频率-跃迁 | - |