Datasheet下载- 型号： FQA16N25C
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA16N25C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA16N25C价格参考。Fairchild SemiconductorFQA16N25C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQA16N25C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA16N25C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA16N25C 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）。其主要参数包括：最大漏源电压（VDS）为250V，连续漏极电流（ID）可达16A，适合中高功率应用。 该器件广泛应用于以下场景： 1. 电源管理：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，用于高效能电能转换和稳压控制。 2. 电机驱动：适用于无刷直流电机、步进电机等驱动电路，提供快速开关和低导通损耗。 3. 逆变器与变频器：在UPS不间断电源、太阳能逆变器、工业变频设备中用作功率开关元件。 4. 照明系统：如LED路灯或工业照明的恒流驱动电路。 5. 汽车电子：用于车载充电系统、电动工具、电池管理系统（BMS）等对可靠性和效率要求较高的场景。 FQA16N25C具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和良好热稳定性，适合需要高频开关和节能设计的电路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQA16N25C |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1080pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 270 毫欧 @ 8.9A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | 180W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 450 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17.8A （Tc） |
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