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Datasheet下载- 型号： IRF9640STRRPBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9640STRRPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9640STRRPBF价格参考。VishayIRF9640STRRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 200V 11A（Tc） 125W（Tc） 。您可以下载IRF9640STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9640STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF9640STRRPBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体为P沟道增强型MOSFET。该器件具有多种应用场景，主要应用于需要高效开关和功率管理的电路中。 1. 电源管理：IRF9640STRRPBF常用于直流-直流转换器、线性稳压器等电源管理系统中，用于控制电流的通断，实现高效的电压调节。其低导通电阻特性有助于减少功耗，提高整体效率。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中，该MOSFET可用于控制电机的启动、停止和速度调节。它能够快速响应控制信号，确保电机运行稳定且高效。 3. 负载开关：在需要频繁切换负载的应用中，如汽车电子设备、便携式电子产品等，IRF9640STRRPBF可以作为负载开关，实现对不同负载的有效管理和保护。 4. 逆变器和UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中，该MOSFET可用于功率级开关，帮助将直流电转换为交流电，提供稳定的电力输出。 5. 电池管理系统：在锂电池或其他类型的电池管理系统中，IRF9640STRRPBF可用于电池充放电控制，防止过充或过放，延长电池寿命。 6. LED驱动：在高亮度LED照明应用中，该MOSFET可以用于调光控制和电流调节，确保LED灯的亮度和色彩一致性。 7. 通信设备：在通信基站、路由器等设备中，IRF9640STRRPBF可用于电源模块中的开关元件，确保设备的稳定供电和高效运行。 8. 工业自动化：在工业控制系统中，该MOSFET可用于驱动各种传感器、执行器和其他外围设备，实现精确的控制和反馈。 总之，IRF9640STRRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率控制和开关操作的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 11A D2PAKMOSFET P-Chan 200V 11 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9640STRRPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9640STRRPBFIRF9640STRRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 43 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 500 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 500 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 200 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
| 系列 | IRF/SIHF9640 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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