Datasheet下载- 型号： SI4004DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4004DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4004DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4004DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4004DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4004DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4004DY-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.8V驱动兼容技术，适用于低电压、高效率的电源管理应用。该器件常用于便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备，主要用于电源开关、负载开关、电池管理及DC-DC转换电路中。 其主要应用场景包括： 1. 电源开关与负载切换：SI4004DY-T1-GE3具备低导通电阻（RDS(on)），可有效降低功耗，适合在系统中控制不同模块的供电通断，实现节能管理。 2. 电池供电系统：由于支持低栅极驱动电压（1.8V或以上），可直接由低压逻辑信号控制，非常适合由电池供电的嵌入式系统和移动设备。 3. DC-DC转换器：在同步整流或电源路径管理中作为高效开关元件，提升整体转换效率。 4. 热插拔与过流保护电路：可用于防止电流冲击，保护后级电路安全。 该MOSFET采用小型SOT-23封装，节省PCB空间，适合高密度布局。凭借Vishay Siliconix在功率半导体领域的可靠性，SI4004DY-T1-GE3广泛应用于对尺寸、功耗和稳定性要求较高的消费类电子和工业控制领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4004DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1280pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.8 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4004DY-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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