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详细数据请看参考数据手册
- 型号： STB80NF03L-04T4
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB80NF03L-04T4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB80NF03L-04T4价格参考。STMicroelectronicsSTB80NF03L-04T4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB80NF03L-04T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB80NF03L-04T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 STB80NF03L-04T4 是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效、低导通电阻和高电流能力的电源管理场景。其典型应用场景包括： 1. 电源转换系统：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少导通损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动：常用于工业控制、电动工具、家用电器中的直流电机或步进电机驱动电路，支持大电流开关操作，具备良好的热稳定性。 3. 汽车电子：该器件符合AEC-Q101标准，适合车载应用，如车灯控制、风扇电机驱动、电控门锁等，能在较宽温度范围（-55°C至175°C）可靠工作。 4. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中作为功率开关元件，实现高效的能量转换与控制。 5. 照明系统：用于LED驱动电源，支持高频开关，有助于减小电源体积并提升能效。 STB80NF03L-04T4采用TO-263（D²PAK）封装，便于散热和表面贴装，适合自动化生产。其低栅极电荷和快速开关特性进一步优化了动态性能，适用于中高功率密度设计。综合来看，该MOSFET在工业、汽车和消费类电子中均有广泛应用，尤其适合对效率和可靠性要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB80NF03L-04T4 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | STripFET™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 40A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067 |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-7952-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF222573?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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