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Datasheet下载- 型号： SI4401BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI4401BDY-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4401BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4401BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4401BDY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 40V 8.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4401BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4401BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4401BDY-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），专为低电压应用设计。以下是其主要应用场景： 1. 便携式电子设备 该MOSFET适用于各种便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备等。它的工作电压范围为1.5V至5.5V，非常适合这些设备中的电源管理电路，能够高效地控制电流的开关，减少功耗并延长电池寿命。 2. 负载开关 在电源管理系统中，SI4401BDY-T1-E3可以用作负载开关，用于快速切断或接通负载与电源之间的连接。它的低导通电阻（Rds(on)）特性使得在大电流情况下也能保持较低的功率损耗，从而提高系统的效率。 3. 电池保护电路 该MOSFET可以用于电池保护电路中，防止过充、过放、短路等异常情况。通过精确控制电流的流通，它可以有效地保护电池免受损坏，确保设备的安全运行。 4. DC-DC转换器 在DC-DC转换器中，MOSFET作为开关元件起着至关重要的作用。SI4401BDY-T1-E3的快速开关特性和低导通电阻有助于提高转换效率，减少热量产生，特别适合于小型化、高效率的电源设计。 5. 电机驱动 对于小型电机驱动应用，如风扇、泵、玩具车等，该MOSFET可以用来控制电机的启动、停止和速度调节。其低电压驱动能力和快速响应特性使其非常适合这类应用。 6. 通信设备 在通信设备中，如路由器、调制解调器等，MOSFET可以用于信号切换和电源管理。SI4401BDY-T1-E3的小尺寸和低功耗特点使其成为这些设备的理想选择。 总之，Vishay Siliconix的SI4401BDY-T1-E3由于其低电压操作、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于需要高效电源管理和低功耗的各种电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOICMOSFET 40V 10.5A 0.014Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.7 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4401BDY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4401BDY-T1-E3SI4401BDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4401BDY-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 97 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4401BDY-E3 |
