Datasheet下载- 型号： SI1426DH-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1426DH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1426DH-T1-GE3价格参考。VishaySI1426DH-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1426DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1426DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1426DH-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点。其典型应用场景包括以下领域： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于降压或升压转换电路中，作为主开关管或同步整流管，实现高效能量转换。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，控制电路的开启与关闭，降低功耗。 - 电池管理系统 (BMS)：用于电池充放电保护电路，确保电流在安全范围内流动。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于玩具、家用电器中的电机驱动，提供高效的开关控制。 - H 桥电路：用于双向电机控制，支持正转和反转功能。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：作为电源开关或充电路径管理器件，优化设备的能效。 - USB 充电端口保护：防止过流、短路等异常情况，保护设备和用户安全。 4. 工业应用 - 信号隔离与切换：在多路复用器或数据切换电路中，实现高速信号的可靠传输。 - 固态继电器 (SSR)：替代传统机械继电器，提高系统的可靠性和寿命。 5. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频放大器或其他外设的电源管理。 - LED 驱动：为汽车内外部照明系统提供精确的电流控制。 特性优势 - 低 Rds(on)：减少导通损耗，提升整体效率。 - 高开关速度：适合高频应用，降低开关损耗。 - 小封装（SOT-23-3L）：节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。 SI1426DH-T1-GE3 凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和低功耗的场景中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1426DH-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 其它名称 | SI1426DH-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Ta） |
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