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  • 型号: NTD4904NT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTD4904NT4G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4904NT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4904NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4904NT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),79A(Tc) 1.4W(Ta),52W(Tc) DPAK。您可以下载NTD4904NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD4904NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 13A SGL DPAKMOSFET NFET IPAK 30V 79A 3.7 mOhm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

17.8 A

Id-连续漏极电流

17.8 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4904NT4G-

数据手册

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产品型号

NTD4904NT4G

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.6 W

Pd-功率耗散

2.6 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3052pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

41nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.7 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

NTD4904NT4GOSDKR

功率-最大值

1.4W

功率耗散

2.6 W

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

5.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

76 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

17.8 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Ta), 79A (Tc)

系列

NTD4904N

配置

Single

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