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FCP16N60N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCP16N60N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCP16N60N价格参考。Fairchild SemiconductorFCP16N60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 134.4W(Tc) TO-220-3。您可以下载FCP16N60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCP16N60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCP16N60N是ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),属于单个N沟道增强型MOSFET。该器件具有以下主要特点和应用场景: 主要特点: 1. 高电压耐受能力:最大漏源极击穿电压(Vds)为600V,适用于高压应用。 2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻较低,有助于减少功率损耗,提高效率。 3. 快速开关特性:具备较快的开关速度,适合高频开关应用。 4. 小封装:采用TO-220封装,便于散热设计,适合紧凑型电路。 应用场景: 1. 电源管理:FCP16N60N广泛应用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其高电压耐受能力和低导通电阻使其能够在高压输入环境下高效工作。 2. 电机驱动:在电动工具、家电(如洗衣机、空调等)的电机驱动电路中,FCP16N60N可以作为开关元件,控制电机的启动、停止和调速。它能够承受电机启动时的瞬态高压,并提供稳定的电流输出。 3. 太阳能逆变器:在光伏系统中,FCP16N60N可用于逆变器电路,将直流电转换为交流电。其高压特性和快速开关性能有助于提高逆变器的效率和可靠性。 4. 工业自动化:在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等,FCP16N60N可以用作负载开关或信号隔离元件,确保系统的稳定运行。 5. 汽车电子:在汽车电子领域,如车载充电器、电池管理系统(BMS)、LED驱动电路等,FCP16N60N能够应对车辆电气系统中的高压环境,并提供可靠的开关功能。 总之,FCP16N60N凭借其高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关特性,适用于多种需要高效功率管理和可靠开关操作的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3MOSFET SupreMOS 16A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCP16N60NSupreMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCP16N60N |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 134.4 W |
| Pd-功率耗散 | 134.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 170 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 上升时间 | 15.5 ns |
| 下降时间 | 20.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2170pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 199 毫欧 @ 8A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 60.3 ns |
| 功率-最大值 | 134.4W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 170 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 16 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |
| 系列 | FCP11N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |