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  • 型号: STP6N95K5
  • 制造商: STMicroelectronics
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STP6N95K5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP6N95K5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP6N95K5价格参考。STMicroelectronicsSTP6N95K5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 950V 9A(Tc) 90W(Tc) TO-220-3。您可以下载STP6N95K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP6N95K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STP6N95K5是STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

1. 电源管理:STP6N95K5因其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(Vds),非常适合用于开关电源、直流-直流转换器等电源管理系统中。它能够高效地进行电流切换,减少能量损耗,提高电源转换效率。

2. 电机控制:在电机驱动电路中,这款MOSFET可以作为功率开关使用,实现对电机的精确控制。例如,在电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇)、以及工业自动化设备中的无刷直流电机(BLDC)驱动电路里都能见到它的身影。

3. 电池保护与充电管理:由于其具备良好的电气特性,STP6N95K5也可应用于锂电池组的保护电路中,用以防止过充、过放及短路等情况发生;同时,在快速充电解决方案中也有着广泛应用。

4. 汽车电子系统:随着电动汽车的发展,对于高效能、小型化的功率器件需求日益增长。STP6N95K5凭借其优异的性能表现,在车载逆变器、空调压缩机控制器、LED照明驱动等领域得到了广泛应用。

总之,STP6N95K5凭借其出色的电气参数和可靠性,在众多需要高效功率转换的应用场景中发挥着重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 950V 9A TO-220MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener SuperMESH 5

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9 A

Id-连续漏极电流

9 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP6N95K5SuperMESH5™

数据手册

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产品型号

STP6N95K5

Pd-PowerDissipation

90 W

Pd-功率耗散

90 W

Qg-GateCharge

13 nC

Qg-栅极电荷

13 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.25 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.25 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

950 V

Vds-漏源极击穿电压

950 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

450pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.25 欧姆 @ 3A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

497-12865-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF248789?referrer=70071840

功率-最大值

90W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

950V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Tc)

系列

STP6N95K5

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