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产品简介:
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Infineon Technologies的BSP298H6327XUSA1是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单类型的产品,其应用场景广泛适用于多种电力电子领域。以下是一些具体的应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - BSP298H6327XUSA1因其高效的开关特性和低导通电阻(Rds(on)),非常适合用于开关电源的设计中,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。 - 在这些应用中,该MOSFET能够实现高效的能量转换,降低能量损耗。 2. 电机驱动 - 该型号可用于小型直流电机或无刷直流电机(BLDC)的驱动电路中,提供高效的功率控制。 - 其快速开关速度和低功耗特性使其成为电机驱动的理想选择。 3. 负载切换与保护 - 在消费类电子产品中,BSP298H6327XUSA1可以用于负载切换和保护电路,例如手机充电器、平板电脑适配器等。 - 它能够快速响应过流或短路情况,保护系统免受损害。 4. 电池管理系统(BMS) - 该MOSFET适用于电池管理系统的充放电控制,确保电池在安全范围内工作。 - 其低导通电阻有助于减少电池充放电过程中的能量损失。 5. 汽车电子 - 在汽车电子领域,BSP298H6327XUSA1可用于车身控制模块(BCM)、LED照明驱动、风扇控制等应用。 - 它的高可靠性和耐高温性能使其适合严苛的汽车环境。 6. 工业自动化 - 该产品可应用于工业自动化设备中的信号放大、功率控制和开关功能,例如继电器替代、传感器接口等。 - 其稳定的性能和耐用性能够满足工业环境的需求。 总结 BSP298H6327XUSA1凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业自动化以及电力转换等领域。其低导通电阻、快速开关速度和高效率使其成为现代电子设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 500 mA |
| Id-连续漏极电流 | 500 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal 400V 3Ohm 500mA |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP298H6327XUSA1 |
| 产品型号 | BSP298H6327XUSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.5 S |
| 系列 | BSP298 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP001058626 |