ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFS3206TRRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRFS3206TRRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS3206TRRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS3206TRRPBF价格参考。International RectifierIRFS3206TRRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK。您可以下载IRFS3206TRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS3206TRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFS3206TRRPBF是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型的产品。以下是该型号的应用场景分析： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：IRFS3206TRRPBF适用于高效能的开关电源设计，例如AC-DC或DC-DC转换器。其低导通电阻和快速开关特性有助于减少能量损耗，提高效率。 - 电压调节模块 (VRM)：在计算机主板、服务器和其他需要精确电压调节的设备中，该MOSFET可用于实现高效的电压转换。 2. 电机驱动 - 直流无刷电机 (BLDC)：在电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）和工业自动化设备中，IRFS3206TRRPBF可用于驱动BLDC电机，提供高效率和低发热性能。 - 步进电机控制：在打印机、扫描仪等设备中，该MOSFET可以用于精确控制步进电机的运行。 3. 汽车电子 - 车载电子系统：IRFS3206TRRPBF可应用于汽车中的各种电子系统，例如电动车窗、座椅调节、雨刷控制等，提供可靠的开关功能。 - 电池管理系统 (BMS)：在电动汽车或混合动力汽车中，该MOSFET可用于电池保护电路，确保电池的安全充放电。 4. 通信设备 - 基站功率放大器：在无线通信基站中，该MOSFET可用于功率放大器的开关电路，以优化功耗和散热性能。 - 信号切换：在路由器、交换机等网络设备中，IRFS3206TRRPBF可用于高速信号切换，保证数据传输的稳定性和可靠性。 5. 消费类电子产品 - 充电器和适配器：该MOSFET广泛应用于手机、平板电脑和其他便携式设备的充电器中，支持快速充电技术并降低热量产生。 - 音频放大器：在音响设备中，IRFS3206TRRPBF可用于功率输出级，提供高质量的音频信号放大。 6. 工业应用 - 逆变器：在太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 中，该MOSFET可用于将直流电转换为交流电，满足能源转换需求。 - 负载开关：在工业控制系统中，IRFS3206TRRPBF可用作负载开关，实现对不同负载的精确控制。 总结 IRFS3206TRRPBF凭借其高性能参数（如低导通电阻、高电流承载能力、快速开关速度），适用于多种应用场景，特别是在需要高效能、低功耗和可靠性的领域。这些特性使其成为电源管理、电机驱动、汽车电子、通信设备和消费类电子产品中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKMOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 210 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS3206TRRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS3206TRRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 82 ns |
| 下降时间 | 83 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6540pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRFS3206TRRPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.4 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 210 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 210 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbsl3206pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbsl3206pbf.spi |
| 配置 | Single |
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