Datasheet下载- 型号： IRF740BPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF740BPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF740BPBF价格参考。VishayIRF740BPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF740BPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF740BPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF740BPBF是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： IRF740BPBF适用于开关电源中的开关元件，能够高效地控制电流的通断，提供稳定的电压输出。其低导通电阻和高开关速度特性使其非常适合DC-DC转换器、AC-DC适配器等应用。 2. 电机驱动： 该型号可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，通过PWM（脉宽调制）技术实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 电池管理： 在电池充电和保护电路中，IRF740BPBF可以用作开关或保护元件，防止过流、过压等情况对电池造成损害。 4. 逆变器： 用于将直流电转换为交流电的逆变器中，IRF740BPBF可以作为核心开关器件，支持高效的电能转换。 5. 负载切换： 在需要快速切换负载的应用中（如汽车电子、工业控制），该MOSFET能够可靠地完成负载的接通与断开操作。 6. LED驱动： 对于大功率LED照明系统，IRF740BPBF可用作驱动元件，调节LED的亮度并确保稳定工作。 7. 音频功放： 在某些D类音频放大器设计中，该MOSFET可作为输出级开关，提供高质量的声音输出。 总之，IRF740BPBF凭借其优良的电气性能和可靠性，成为众多电力电子设备的理想选择，特别适合需要高效能、低损耗的开关和控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 10A TO-220ABMOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF740BPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF740BPBFIRF740BPBF |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 63 nC |
| Qg-栅极电荷 | 63 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 526pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 147W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 550 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 5.8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 400 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 配置 | Single |
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