ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMH10,115
Datasheet下载- 型号： PUMH10,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH10,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH10,115价格参考￥0.11-￥0.11。NXP SemiconductorsPUMH10,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMH10,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMH10,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMH10,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）阵列，属于预偏置型（Pre-biased）NPN+NPN 双通道器件，内置基极-发射极电阻（R1、R2），简化外围电路设计。其典型应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）GPIO端口的信号缓冲与驱动，将低电流逻辑信号（如3.3V/5V）可靠转换为足够驱动LED、小型继电器或MOSFET栅极的电流输出。 - LED指示灯与段式数码管驱动：双通道结构适合驱动共阴极LED或7段显示器中的多位选通/段控，减少MCU I/O占用，提升系统集成度。 - 负载开关与电源使能控制：配合限流电阻可作为低压侧开关，控制传感器、通信模块等子电路的上电时序与功耗管理。 - 工业与消费类嵌入式系统：广泛应用于打印机、家电控制板、智能电表、IoT终端等对成本、PCB面积和可靠性敏感的场景，替代分立三极管+偏置电阻方案，提升量产一致性与装配效率。 该器件具备SOT-363（SC-70-6）小尺寸封装、ESD防护（>4kV HBM）、宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C）及符合AEC-Q100（Grade 1）的车规版本变体，亦适用于部分车载信息娱乐系统辅助电路。需注意其最大集电极电流（IC = 100mA/通道）和功耗限制，不适用于大功率开关场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMH10,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMH10,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6552-6 |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMH10 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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