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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TPC8014(TE12L,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPC8014(TE12L,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPC8014(TE12L,Q,M)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPC8014(TE12L,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPC8014(TE12L,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPC8014(TE12L,Q,M) 是东芝(Toshiba Semiconductor and Storage)生产的一款MOSFET晶体管,属于FET场效应管中的单沟道增强型MOSFET。该器件广泛应用于需要高效开关与功率控制的电子电路中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电源开关电路中,实现高效的能量传输与调节。 2. 马达驱动:在小型电机或步进电机的驱动电路中,作为功率开关元件使用。 3. 负载开关:用于控制电池供电设备中的负载通断,如便携式电子产品、智能电表等。 4. LED照明:在LED驱动电路中用于调节亮度或作为开关元件。 5. 汽车电子:适用于车载电器中的电源控制模块,如车灯控制、传感器供电等。 6. 工业自动化:用于PLC、继电器替代方案或工业控制设备中的开关电路。 该MOSFET具有低导通电阻、高效率、封装小巧等优点,适合高频开关应用,有助于减少电路损耗和发热,提高整体系统效率。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | TPC8014(TE12L,Q,M) |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1860pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 5.5A,10V |
供应商器件封装 | 8-SOP(5.5x6.0) |
功率-最大值 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta) |