图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R0-40LS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R0-40LS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN7R0-40LS,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN7R0-40LS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN7R0-40LS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN7R0-40LS,115 是 NXP USA Inc.(恩智浦半导体)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,主要应用于电源管理和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和良好的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的系统。 常见应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于DC-DC转换器、同步整流器、电池充电电路中,提升能效并减少热量产生。 2. 电机驱动与负载开关:在电机控制、继电器替代、LED照明等应用中作为高效开关元件,具备快速开关能力和高耐用性。 3. 工业自动化设备:如PLC模块、工业电源、伺服驱动器等对稳定性和效率要求较高的场合。 4. 汽车电子系统:例如车载电源系统、车灯控制、车载充电器等,得益于其高可靠性和耐高温性能。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑电源适配器、智能家电、UPS不间断电源等,用于实现高效能电能转换。 综上,PSMN7R0-40LS,115是一款适用于多种高效率电源转换和控制场景的MOSFET器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 40V QFN3333MOSFET N-CHAN 40V 40A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
Id-连续漏极电流 | 40 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN7R0-40LS,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN7R0-40LS,115 |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 65 W |
Pd-功率耗散 | 65 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1286pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-DFN3333(3.3x3.3) |
其它名称 | 568-5595-6 |
功率-最大值 | 65W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | DFN3333-8 |
工厂包装数量 | 1400 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Tc) |
配置 | Single |