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  • 型号: SI7421DN-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI7421DN-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7421DN-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7421DN-T1-E3价格参考。VishaySI7421DN-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 6.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7421DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7421DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI7421DN-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池管理系统,因其低导通电阻和高效能,有助于提升电源转换效率。

2. 电机控制:用于电动工具、风扇、无人机等设备中的直流电机驱动电路,实现对电机速度和方向的精确控制。

3. 负载开关:在各类电子设备中作为电子负载开关,实现对负载的快速通断控制,保护电路免受过流或短路损害。

4. 逆变器与变频器:在小型逆变器或变频器中用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变系统或不间断电源(UPS)等应用。

5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED 照明控制、电动窗及座椅等汽车电子模块中,具备良好的稳定性和耐温性能。

该器件采用小型封装(如 PowerPAK SO-8),适合高密度 PCB 设计,广泛应用于工业控制、消费电子和汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8MOSFET 30V 9.8A 3.6W 25mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6.4 A

Id-连续漏极电流

6.4 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?72416

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7421DN-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI7421DN-T1-E3SI7421DN-T1-E3

Pd-PowerDissipation

1.5 W

Pd-功率耗散

1.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

25 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

25 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

13 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

25 毫欧 @ 9.8A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

其它名称

SI7421DN-T1-E3DKR

典型关闭延迟时间

57 ns

功率-最大值

1.5W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

封装/箱体

PowerPAK 1212-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.4A (Ta)

系列

SI74xxDx

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI7421DN-E3

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