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RTF025N03TL产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RTF025N03TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTF025N03TL价格参考¥1.43-¥2.10。ROHM SemiconductorRTF025N03TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 2.5A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3。您可以下载RTF025N03TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RTF025N03TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RTF025N03TL 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理 - RTF025N03TL 的低导通电阻(典型值为 2.5 mΩ)使其非常适合用于高效能的电源管理电路中,例如 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、负载开关和电池管理系统。 - 在这些应用中,低导通电阻能够减少功率损耗,提高系统的整体效率。 2. 电机驱动 - 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。由于其高电流处理能力(连续漏极电流高达 94 A),可以支持高功率电机的应用场景。 - 同时,其快速开关特性有助于实现高效的 PWM 控制。 3. 汽车电子 - 在汽车电子领域,RTF025N03TL 可用于启动系统、车载充电器、LED 照明驱动以及电动助力转向系统等。 - 其坚固的设计和耐高温性能(最高工作温度可达 175°C)确保了在恶劣环境下的可靠性。 4. 工业自动化 - 这款 MOSFET 可应用于工业自动化设备中的继电器替代、电磁阀控制和传感器接口等场景。 - 它的高耐用性和低功耗特点使得它成为工业环境中理想的选择。 5. 消费类电子产品 - 在消费类电子产品中,如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块以及家用电器中,RTF025N03TL 可以提供高效的功率转换和保护功能。 总结 RTF025N03TL 凭借其卓越的电气性能和可靠性,广泛适用于需要高效功率转换和控制的各种场景,特别是在要求低损耗和高电流承载能力的应用中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTF025N03TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RTF025N03TL |
| Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
| Pd-功率耗散 | 800 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 48 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 48 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 67 毫欧 @ 2.5A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TUMT3 |
| 其它名称 | RTF025N03TLTR |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD,扁平引线 |
| 封装/箱体 | TUMT-3 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/846-1003-KIT/846-1003-KIT-ND/2277304 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |